BAV99WT1, SBAV99WT1G, BAV99RWT1, SBAV99RWT1G
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THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR?5 Board, (Note 1) TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
200
1.6
mW
mW/°C
Thermal Resistance Junction?to?Ambient
RJA
625
°C/W
Total Device Dissipation Alumina Substrate, (Note 2) TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
300
2.4
mW
mW/°C
Thermal Resistance Junction?to?Ambient
RJA
417
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
?65 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted) (Each Diode)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage
(I(BR)
= 100
A)
V(BR)
100
?
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 100 Vdc)
(VR
= 25 Vdc, T
J
= 150
°C)
(VR
= 70 Vdc, T
J
= 150
°C)
IR
?
?
?
2.5
30
50
Adc
Diode Capacitance
(VR
= 0, f = 1.0 MHz)
CD
?
1.5
pF
Forward Voltage
(IF
= 1.0 mAdc)
(IF
= 10 mAdc)
(IF
= 50 mAdc)
(IF
= 150 mAdc)
VF
?
?
?
?
715
855
1000
1250
mVdc
Reverse Recovery Time
(IF
= I
R
= 10 mAdc, i
R(REC)
= 1.0 mAdc) (Figure 1) R
L
= 100
trr
?
6.0
ns
Forward Recovery Voltage
(IF
= 10 mA, t
r
= 20 ns)
VFR
?
1.75
V
1. FR?5 = 1.0
0.75
0.062 in.
2. Alumina = 0.4
0.3
0.024 in. 99.5% alumina.
Notes: (a) A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: (b) Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: (c) tp
? t
rr
+10 V
2 k
820
0.1 F
DUT
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; measured
at iR(REC)
= 1 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
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